孙伟锋教授团队受邀参加国际宽禁带半导体顶级会议ICSCRM2019并做报告

 碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体因高临界击穿电场、高导热率、高电子迁移率等优点，已成为第三代功率半导体的理想材料。宽禁带半导体领域国际会议“International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019”（ICSCRM2019）于9月29日至10月4日在日本京都举行，学院孙伟锋教授团队的刘斯扬副教授、魏家行博士后、李胜博士参会并展示研究成果。

 李胜博士展示的论文《Electrical Parameters Degradationsof P-GaN HEMTsunder Repetitive UIS Stress》是大会仅有的4篇Invitedposter之一，也是唯一来自中国地区的邀请报告；魏家行博士后展示的论文《Investigationsonthe Resistance Reduction Effect for Double Trench SiC MOSFETs under Repetitive Avalanche Stress》是大会仅有的3篇来自中国地区的Oral报告之一。上述研究成果受到国内外学者高度评价。